يتخلى Micron عن 4F² DRAM، ويراهن على 6F² والتكديس ثلاثي الأبعاد

تقرير كامل

قال سكوت دي بوير، رئيس شركة ميكرون وكبير مسؤولي التكنولوجيا، خلال ندوة عبر الإنترنت لخارطة الطريق التكنولوجية استمرت عقدًا من الزمن في 21 أكتوبر، إن الشركة درست 4F² لأكثر من عقدين من الزمن - اخترعته شركة ميكرون - ولكنها ترى مشاكل توسيع "أساسية" في الحافة الرائدة. ووصف ميزة الكثافة المزعومة بأنها "نوع من الأسطورة": يمكن البناء عليها في العقد القديمة، ولكنها أكثر تكلفة وأكثر تعقيدًا دون تحقيق عائد ذي معنى.

ستقوم Micron بدلاً من ذلك بتوسيع بنيتها 6F² التي أثبتت جدواها والقفز إلى ربط الرقاقات المتقدمة والتكديس ثلاثي الأبعاد. تتبع عقدة 1-delta DRAM عقدة 1-gamma الحالية ومن المقرر أن تنطلق في النصف الثاني من عام 2027 في مصنع Boise، مما يوفر تحسينًا متوسطًا بنسبة 20٪ في كثافة البت ومصممًا لـ HBM5 وHBM الرأسي. ستقوم العقدة 1-epsilon بدمج ترابط الرقاقة بشكل كامل؛ يتم تطوير تطوير DRAM ثلاثي الأبعاد بين العقدتين 1-zeta و1-eta، مع الطباعة الحجرية High-NA EUV قيد الاستكشاف.

في NAND، سوف يتخطى Micron جيلًا واحدًا، ويقفز من Gen 9 إلى G11: أكثر من 400 طبقة، ضعف كثافة بتات الجيل 9 وسرعة إدخال/إخراج 1.5×، وسيزداد أيضًا في النصف الثاني من عام 2027. HBM4 بالفعل في إنتاج بكميات كبيرة بمعدل 2.8 تيرابايت/ثانية لكل مكدس؛ ويأتي بعد ذلك HBM العمودي المكدس مباشرة على المعالجات، بالإضافة إلى ذاكرة استدلال الحافة الرأسية منخفضة الطاقة الموجهة للروبوتات والسيارات.

المنافسون لا يتبعون ذلك: قالت شركة CXMT الصينية مؤخرًا إنها تعتزم تسويق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية للخادم 4F²، مما يؤدي إلى انخفاض مخزون الذاكرة الكورية لفترة وجيزة. تظل Samsung وSK Hynix ملتزمتين بترانزستورات القناة الرأسية لـ 4F². سيكون الحكم في معركة الطريق هذه هو العائد والتكلفة - ويراهن ميكرون على الأبعاد الثلاثية.