تُنتج شركة TetraMem أول شريحة ذكاء اصطناعي تناظرية للحوسبة في الذاكرة مقاس 12 نانومتر في العالم

أعلنت شركة TetraMem لحوسبة الذاكرة التناظرية في وادي السيليكون عن نجاحها في إنتاج MLX300. تصفه الشركة بأنه أول نظام في العالم للحوسبة التناظرية في الذاكرة (A-IMC) مقاس 12 نانومتر يعتمد على تقنية RRAM متعددة المستويات، تم تطويره باستخدام أدوات أتمتة التصميم الإلكتروني المدعومة بالسحابة من Synopsys.

الحوسبة داخل الذاكرة

تقضي شرائح الذكاء الاصطناعي التقليدية الوقت والطاقة في نقل البيانات ذهابًا وإيابًا بين المعالجات والذاكرة. تتيح الحوسبة التناظرية في الذاكرة لخلايا الذاكرة نفسها المشاركة في الحساب، مما يقلل من حركة البيانات. يقول TetraMem إن MLX300 عبارة عن مسرع متعدد الاستخدامات أحادي الشريحة مبني على تلك البنية، لنماذج الصوت والرؤية واللغة الصغيرة.

وفقًا لمواصفات الشركة، يحمل MLX300 ما يصل إلى 64 مليون معلمة INT4 على الرقاقة، دون الحاجة إلى ذاكرة DRAM خارجية لأوزان الطراز، ويستهدف كفاءة الطاقة لأكثر من 50 إلى 80 TOPS/W. إن رقم الكفاءة هذا هو هدف التصميم، وليس نتيجة مقاسة من منتج الشحن.

الشريط الثاني هذا العام

MLX300 هو ثاني شريط كامل القناع من TetraMem في عام 2026، بعد MLX200 وMLX200M في عملية تجارية تبلغ 22 نانومتر. وتقول الشركة إن كلا التصميمين استخدما أدوات Synopsys EDA المقدمة من خلال Synopsys Cloud FlexEDA، مما يسمح للفرق الهندسية في الولايات المتحدة وسنغافورة بالعمل معًا؛ انخفض عرض التصميم والبيئة من أسابيع إلى دقائق، وتم تشغيل محاكاة التحقق على مستوى التسجيل بنحو 3 مرات أسرع من الأساليب المحلية.

وقال جلين جي، الرئيس التنفيذي والمؤسس المشارك لشركة TetraMem، إن البنية تعمل على التقارب بين الذاكرة والحوسبة، واصفًا إياها بأنها نهج جديد بشكل أساسي لحوسبة الذكاء الاصطناعي. وقالت سينوبسيس إن العمل يعكس نوع الابتكار المطلوب للموجة التالية من أداء وكفاءة الذكاء الاصطناعي. يُعد الشريط اللاصق علامة فارقة في إرسال التصميم إلى التصنيع؛ ولم تقدم الشركة أي جدول زمني للإنتاج الضخم في هذا الإعلان.