N環球 
التجارة الأمريكية تمنح ما يصل إلى 73 مليون دولار أمريكي لأشباه الموصلات الرأسية لترانزستورات طاقة GaN لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي
وقعت شركة Vertical Semiconductor خطاب نوايا مع مكتب البحث والتطوير الخاص بـ CHIPS التابع لوزارة التجارة الأمريكية للحصول على ما يصل إلى 73 مليون دولار أمريكي من تمويل قانون CHIPS لتطوير ترانزستورات طاقة نيتريد الغاليوم العمودية لتوصيل الطاقة لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.
لماذا يهم
أعلنت شركة Vertical Semiconductor في 22 أكتوبر أنها وقعت خطاب نوايا مع مكتب أبحاث وتطوير CHIPS (CRDO) التابع لوزارة التجارة الأمريكية لتلقي ما يصل إلى 73 مليون دولار من الحوافز الفيدرالية بموجب قانون CHIPS والعلوم. سيؤدي التمويل المقترح إلى تسريع البحث والتطوير وتسويق الجيل التالي من ترانزستورات الطاقة من نيتريد الغاليوم العمودي (GaN)، بهدف تحسين توصيل الكهرباء لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء وإطلاق العنان للإنتاج المحلي.
التفاصيل الفنية
تعمل الشركة، المنفصلة عن معهد ماساتشوستس للتكنولوجيا، على تطوير منصة عمودية GaN FinFET مصممة لتوفير كفاءة أكبر في استخدام الطاقة وكثافة طاقة أعلى من أساليب تحويل الطاقة التقليدية: خفض خسائر الطاقة أثناء التحويل، والحد من الحرارة، وتقليص أثر البنية التحتية الكهربائية. وتقول الشركة إن مثل هذه التحسينات قد تسمح لمشغلي مراكز البيانات بنشر المزيد من سعة الحوسبة دون زيادات متناسبة في طاقة الشبكة.
بيان الشركة
وقالت سينثيا لياو، الرئيس التنفيذي والمؤسس المشارك: "إن الطاقة هي أهم عنق الزجاجة في بناء البنية التحتية للذكاء الاصطناعي". وقالت إن جائزة CHIPS R&D ستعمل على تسريع البحث والتطوير وتسويق GaN الرأسي لتوسيع قدرة الحوسبة الأمريكية ضمن قيود الطاقة الحالية. يغطي خطاب النوايا التمويل المقترح؛ تظل الجوائز النهائية خاضعة لعملية مراجعة وزارة التجارة.
المصادر
إعلان أشباه الموصلات الرأسية عبر Business Wire/Morningstar (22 أكتوبر 2026)؛ نبض 2 (22 أكتوبر 2026).
💬 Comments
No comments yet. Be the first!