长鑫存储称第五代DRAM平台进入量产，推出两款24Gb LPDDR5X

路透社9月20日报道，长鑫存储在合肥举行的2026世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM技术平台已经进入量产。DRAM是手机、电脑等设备运行应用程序时使用的短期工作存储器。

公司表示，新平台把存储单元关键结构的间距缩小到11.95纳米，使用四重图形化工艺制造更精细的电路。长鑫存储副总裁罗晓东称，其工艺能力已经接近行业最先进的量产节点；这是公司的公开主张，N环球尚未看到独立实验室测试或完整良率数据。

长鑫存储同时公布两款24Gb LPDDR5X产品，主要面向智能手机和便携设备。公司称它们的容量比上一代同类产品高50%，目前也已经进入量产；新平台按照8Gb芯片基准计算，每片晶圆可产出的裸片总数至少比第四代平台多50%。裸片总数并不等于最终通过测试的良品率。

公司称新平台通过计算机模拟以及与中国芯片设备企业协作开发。这一进展发生在美国出口限制持续约束中国获取部分先进芯片制造设备和软件之际，因此具有供应链和科技竞争意义。

核实状态：已确认；新闻价值：A级重大新闻；originRegion：中国；主栏目：科技；relatedRegions：美国、亚洲、全球。已经确认的是公司公开宣布量产及公布产品；实际产能、良率、客户采用和与三星、SK海力士、美光的性能差距仍待市场和第三方数据验证。