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長鑫存儲稱第五代DRAM平台進入量產,推出兩款24Gb LPDDR5X
中國・科技中國存儲芯片企業長鑫存儲(CXMT)9月20日宣布,第五代DRAM技術平台已進入量產,並推出兩款24Gb LPDDR5X移動存儲產品。公司稱新平台每片晶圓可產出的芯片裸片總數至少提高50%。
為何重要
若量產規模、良率與客戶採用情況符合公司預期,這將增強中國在全球DRAM供應鏈中的競爭力,並影響智能手機供應、芯片價格和中美半導體競爭。性能與成本數據目前主要來自公司披露。
詳細報道
路透社9月20日報道,長鑫存儲在合肥舉行的2026世界製造業大會上宣布,其第五代DRAM技術平台已經進入量產。DRAM是手機、電腦等設備運行應用程序時使用的短期工作存儲器。
公司表示,新平台把存儲單元關鍵結構的間距縮小至11.95納米,使用四重圖形化工藝製造更精細的電路。長鑫存儲副總裁羅曉東稱,其工藝能力已接近行業最先進的量產節點;這是公司的公開主張,N環球尚未看到獨立實驗室測試或完整良率數據。
長鑫存儲同時公布兩款24Gb LPDDR5X產品,主要面向智能手機和便攜設備。公司稱它們的容量比上一代同類產品高50%,目前也已進入量產;新平台按8Gb芯片基準計算,每片晶圓可產出的裸片總數至少比第四代平台多50%。裸片總數並不等於最終通過測試的良品率。
公司稱新平台通過計算機模擬及與中國芯片設備企業協作開發。這一進展發生在美國出口限制持續約束中國獲取部分先進芯片製造設備和軟件之際,因此具有供應鏈和科技競爭意義。
核實狀態:已確認;新聞價值:A級重大新聞;originRegion:中國;主欄目:科技;relatedRegions:美國、亞洲、全球。已確認的是公司公開宣布量產及公布產品;實際產能、良率、客戶採用和與三星、SK海力士、美光的性能差距仍待市場與第三方數據驗證。

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