imec 與 Lam Research 擴大合作，攻 3D 晶片製造與高數值孔徑 EUV 難題

比利時半導體研究中心 imec 與半導體設備商 Lam Research 擴大了戰略合作，合力攻克先進 3D 晶片整合與下一代微影技術的製造難題。據 Intelligent CIO 歐洲版 10 月 30 日報道，隨著 AI 算力基礎設施需求加速，傳統電晶體微縮越來越難，業界需要新的製程來提升處理器效能、記憶體頻寬與能源效率。

合作要解決什麼

研究人員將探討支援先進封裝、異質整合與未來記憶體架構的製造流程，結合 Lam 的沉積與蝕刻技術和 imec 的半導體研究設施。重點領域包括厚介電層沉積、應力補償、電漿切割，以及針對越來越複雜的三維記憶體結構的高深寬比蝕刻。

高數值孔徑 EUV 的一環

合作還延伸到 Lam 的 Aether 乾式光阻技術，該技術針對高數值孔徑極紫外光微影（high-NA EUV）設計。研究人員將利用 imec 的先進微影設施，研究未來半導體製程節點在圖案解析度、靈敏度與缺陷減少方面的改進。

已有的進展與下一步

此前的聯合研究已展示以單次曝光製作 20 奈米間距的釕金屬互連，橋接敏感測試結構的電性良率達 100%，斷裂敏感結構超過 90%。兩家公司認為，這類成果有望減少複雜的多重圖案化需求、提升製造效率。下一步還將研究先進互連與半導體架構，包括環繞式閘極電晶體與互補式場效電晶體。報道指出，兩家公司未披露財務條款，也未給出工業化部署的時間表；對晶片製造商而言，核心挑戰仍是把越來越精密的研究轉化為可靠、可擴展的量產製程。