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三星傳將用台積電技術生產輝達下一代 AI 記憶體晶片
《首爾經濟日報》報導，三星將採用台積電 3 奈米製程為輝達下一代 NVHBM 記憶體生產基底晶片，起因是自家代工良率未達標；輝達據稱要求三星、SK 海力士、美光一律跟進。
為何重要
若消息屬實，將是一次罕見的逆轉：全球最大晶片製造商之一的三星，竟在輝達的要求下把關鍵製程外包給死對頭台積電。顯示 AI 記憶體供應鏈已緊繃到連巨頭都得向「能交出良率的人」低頭。
全文
《首爾經濟日報》週日報導，三星電子將採用台積電 3 奈米製程，為輝達下一代客製化高頻寬記憶體（NVHBM）生產基底晶片。
報導稱，三星在自家晶圓代工良率未達要求後，接受了輝達的供貨條件，同意把 AI 記憶體基底晶片外包給台積電生產。輝達並要求其記憶體供應商——三星、SK 海力士與美光——一律採用台積電生產的基底晶片，用於即將推出的 NVHBM 硬體。
三星、台積電與輝達均未證實此消息；量產目標、交貨時程與財務條件也未披露。
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