三星牙山 HBM 先進封裝廠動工　總投資 46 萬億韓元、2028 年投產

三星電子週四（11 月 12 日，韓國時間）在忠清南道牙山為新建 HBM（高帶寬內存）先進封裝廠舉行奠基儀式，廠房投資 6 萬億韓元（約 44.8 億美元），其後還將跟進約 40 萬億韓元的先進設備投資，合計約 46 萬億韓元（約 340 億美元）。新產線計劃 2028 年 6 月投產，比原計劃提前一年。韓國總統李在明與三星電子會長李在鎔出席了儀式。

為 AI 伺服器內存需求擴產

三星在儀式上表示，新廠將設三層、總面積約 3.1 萬平方米的潔淨室，專門封裝用於 AI 伺服器的 HBM 晶片。隨著 AI 數據中心對高帶寬內存的需求急升，HBM 已成為全球最緊俏的晶片產品之一；三星把投產時間提前一年，是為搶佔下一代 AI 內存的供應份額。李在明在儀式上說，牙山園區「將成為先進 HBM 封裝的核心基地」。

韓國「超級項目」的一部分

這次擴產是三星旗下關聯企業 7 月公布的投資計劃的一部分，也是韓國政府推動的半導體、實體 AI 與 AI 數據中心「超級項目」（mega projects）的一環；政府已邀請三星、SK 海力士等企業參與。分析認為，韓國正把先進封裝視為與先進製程同等重要的競爭戰場，封裝產能將決定 HBM 的出貨速度。

接下來看什麼

新廠 2028 年 6 月投產後，三星的 HBM 產能將大幅提升；市場將關注其下一代產品能否如期通過大客戶認證，以及韓國政府的超級項目如何帶動相關產業投資。來源：路透社；Aju Press；《首爾經濟日報》英文版。