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聯電攜手 AP Memory 攻 AI 供電：深溝槽電容嵌入先進封裝，Gen2D 矽電容完成驗證
聯電與 AP Memory 於 10 月 22 日宣布技術與製造合作，把電容直接嵌進中介層與基板，縮短 AI 系統的供電路徑；AP Memory 的 Gen2D 矽電容設計已完成投片與初步功能驗證。
為何重要
AI 工作負載快速擴張，正對運算系統內的供電提出前所未有的要求。傳統做法是把穩壓元件放在電路板上，新架構改為把電容直接嵌進中介層（interposer）或基板，縮短供電路徑、改善電源完整性，並支援先進封裝內更有效率的電壓調節。
全文
聯華電子（UMC，紐約證交所代號 UMC、台灣證交所代號 2303）與 AP Memory（台灣證交所代號 6531）於 2026 年 10 月 22 日在新竹宣布技術與製造合作，開發 AI 與高效能運算（HPC）系統的供電解決方案。合作結合聯電的深溝槽電容（DTC）晶圓代工技術與可擴充的晶圓製造能力，以及 AP Memory 的矽電容設計與系統級整合能力，目標是解決下一代資料中心的電源效率挑戰。
合作已在 2026 年第三季達成一項重要里程碑：AP Memory 的 S-SiCap Gen2D 分離式矽電容設計完成投片（tape-out）與初步功能驗證。下一步是對基板封裝中的電容進行全面的系統級性能與可靠性測試，支援多種電容值與工作電壓需求。雙方也正在探討把合作延伸到其他產品線，包括內嵌電容的中介層與封裝背面電容，以因應不同的系統設計。
據公司介紹，聯電在全球擁有 12 座晶圓廠，以 12 吋晶圓計的合計月產能超過 40 萬片。AP Memory 則是一家無晶圓廠設計公司，產品包括物聯網記憶體、AI 記憶體解決方案與矽電容。
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