台積電傳考慮進軍先進記憶體　應輝達要求規劃 3D DRAM

據《The Information》11 月 6 日報道，全球最大晶圓代工廠台積電正考慮進軍先進記憶體晶片生產，已開始為一種名為 3D DRAM 的新型記憶體制定生產計劃，起因是最大客戶輝達提出要求。路透社引述報道稱，消息來自兩名直接知情人士；台積電與輝達暫未回應路透社的置評請求。

考慮中的方案

台積電可能新建專用廠房，也可能收購現有廠房改作記憶體生產，類似美光今年收購晶圓廠改產 DRAM 的做法。報道未說明何時投產，也未披露投資金額與產能目標。主導這項評估的是負責先進封裝的副總經理徐國晉。

什麼是 3D DRAM

DRAM 是處理器工作時暫存數據的記憶體。3D DRAM 把儲存單元垂直堆疊，同一面積可容納更多容量；與 AI 處理器常用的高頻寬記憶體（HBM）不同，HBM 是把多顆 DRAM 晶片堆疊封裝，3D DRAM 則是在單顆晶片內部立體化。目前三星、SK 海力士與美光主導記憶體市場，三家也都在研發 3D DRAM；SK 海力士的路線圖曾把 3D DRAM 列在約 2030 年，美光則把它放在未來兩代製程之間。

短缺推高價格　市場即時反應

AI 需求帶動的記憶體短缺已推高價格，晶片設計商四出找貨源。報道指出，輝達與蘋果都在尋找更多供應來源。消息傳出後，台積電美股存託憑證周五中午一度升約 6%，報 374.17 美元，輝達升約 3.5%，報 187.94 美元。

接下來

目前一切仍在「考慮」階段：台積電未宣布任何計劃，也未承諾時間表。即使決定進軍，從建廠到量產仍需數年，而且要與三星、SK 海力士及美光正面競爭。市場關注的下一步，是台積電是否正式確認計劃，以及輝達會否把更多記憶體訂單交給台積電以外的供應商。

（資料圖片：台積電晶圓廠。）