N環球 N GLOBE
মার্কিন প্রযুক্তি

মাইক্রোন ডিচ 4F² DRAM, 6F² এবং 3D স্ট্যাকিং এর উপর বাজি ধরে

· N GLOBE

Micron এর CTO Scott DeBoer 21 অক্টোবরের একটি প্রযুক্তিগত ওয়েবিনারে বলেছেন যে 4F² এর ঘনত্ব সুবিধা 'একটু মিথ'; কোম্পানী 6F² প্রসারিত করবে এবং এর পরিবর্তে 3D DRAM বিকাশ করবে, Boise-এ H2 2027-এ 1-ডেল্টা নোড র‌্যাম্পিং।

কেন এটা গুরুত্বপূর্ণ

4F² সাব-10nm DRAM স্কেলিংয়ের অনিবার্য গেটওয়ে হিসাবে বিবেচিত হয়েছে, Samsung এবং SK Hynix এতে সংস্থান ঢেলে দিচ্ছে। মাইক্রোন, বিশ্বের তৃতীয় বৃহত্তম ডিআরএএম প্রস্তুতকারক, দূরে চলে যাওয়ার সংকেত যে মেমরি বৃদ্ধির পরবর্তী দশক ওয়েফার বন্ধন এবং উল্লম্ব স্ট্যাকিং থেকে আসবে — প্ল্যানার কোষকে আরও সঙ্কুচিত করা থেকে নয়।

সম্পূর্ণ প্রতিবেদন

Micron এর প্রেসিডেন্ট এবং চিফ টেকনোলজি অফিসার Scott DeBoer 21 অক্টোবর এক দশকব্যাপী প্রযুক্তি রোডম্যাপ ওয়েবিনারের সময় বলেছিলেন যে কোম্পানি দুই দশকেরও বেশি সময় ধরে 4F² অধ্যয়ন করেছে — Micron এটি উদ্ভাবন করেছে — কিন্তু অগ্রণী প্রান্তে 'মৌলিক' স্কেলিং সমস্যাগুলি দেখে। তিনি দাবিকৃত ঘনত্বের সুবিধাকে 'একটু পৌরাণিক কাহিনী' বলে অভিহিত করেছেন: পুরানো নোডগুলিতে নির্মাণযোগ্য, তবে অর্থপূর্ণ অর্থ প্রদান ছাড়াই ব্যয়বহুল এবং আরও জটিল।

এর পরিবর্তে Micron তার প্রমাণিত 6F² আর্কিটেকচারকে প্রসারিত করবে এবং উন্নত ওয়েফার বন্ধন এবং ত্রিমাত্রিক স্ট্যাকিং-এ লাফ দেবে। 1-ডেল্টা DRAM নোড বর্তমান 1-গামা নোডকে অনুসরণ করে এবং 2027 সালের দ্বিতীয়ার্ধে Boise fab-এ র‌্যাম্পের জন্য সেট করা হয়েছে, মধ্য-20% বিট-ঘনত্বের উন্নতি এবং HBM5 এবং উল্লম্ব HBM-এর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। 1-এপসিলন নোড সম্পূর্ণরূপে ওয়েফার বন্ধনকে একীভূত করবে; 3D DRAM ডেভেলপমেন্ট 1-zeta এবং 1-eta নোডের মধ্যে স্লট করা হয়েছে, উচ্চ-NA EUV লিথোগ্রাফি অনুসন্ধানের অধীনে।

NAND-তে, Micron একটি জেনারেশন এড়িয়ে যাবে, Gen 9 থেকে G11-এ লাফ দেবে: 400 টিরও বেশি স্তর, দ্বিগুণ Gen 9-এর বিট ঘনত্ব এবং 1.5× I/O গতি, এছাড়াও H2 2027-এ র‌্যাম্পিং। HBM4 ইতিমধ্যেই 2.8 TB/s প্রতি উচ্চ-ভলিউম উৎপাদনে রয়েছে; এরপরে আসে উল্লম্ব এইচবিএম সরাসরি প্রসেসরে স্ট্যাক করা, এছাড়াও রোবট এবং গাড়ির লক্ষ্যে লো-পাওয়ার উল্লম্ব প্রান্ত অনুমান মেমরি।

প্রতিদ্বন্দ্বীরা অনুসরণ করছে না: চীনের CXMT সম্প্রতি বলেছে যে এটি 4F² সার্ভার DRAM-এর বাণিজ্যিকীকরণ করতে চায়, সংক্ষিপ্তভাবে কোরিয়ান মেমরি স্টকগুলিকে টেনে এনেছে। Samsung এবং SK Hynix 4F² এর জন্য উল্লম্ব চ্যানেল ট্রানজিস্টরের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ। এই রুট যুদ্ধে রেফারি হবে ফলন এবং খরচ — এবং Micron 3D-তে বাজি ধরছে।

💬 Comments

No comments yet. Be the first!