ইউএস কমার্স এআই ডেটা সেন্টারের জন্য GaN পাওয়ার ট্রানজিস্টরের জন্য উল্লম্ব সেমিকন্ডাক্টরকে $73 মিলিয়ন পর্যন্ত পুরস্কার দেবে

প্রযুক্তিগত বিবরণ

MIT থেকে বেরিয়ে এসে, কোম্পানিটি একটি উল্লম্ব GaN FinFET প্ল্যাটফর্ম তৈরি করছে যা প্রচলিত পাওয়ার-কনভার্সন পদ্ধতির চেয়ে বেশি বিদ্যুতের দক্ষতা এবং উচ্চ বিদ্যুতের ঘনত্ব প্রদানের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে: রূপান্তরের সময় শক্তির ক্ষতি কমানো, তাপ সীমিত করা এবং বৈদ্যুতিক অবকাঠামোর পদচিহ্ন সঙ্কুচিত করা। কোম্পানি বলেছে যে এই ধরনের উন্নতি ডেটা সেন্টার অপারেটরদের গ্রিড পাওয়ারের আনুপাতিক বৃদ্ধি ছাড়াই আরও কম্পিউটিং ক্ষমতা স্থাপন করতে পারে।

কোম্পানির বিবৃতি

সিইও এবং সহ-প্রতিষ্ঠাতা সিনথিয়া লিয়াও বলেছেন, "এআই অবকাঠামো তৈরিতে শক্তি সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ বাধা। তিনি বলেন, চিপস R&D পুরস্কার বিদ্যমান শক্তির সীমাবদ্ধতার মধ্যে আমেরিকান গণনা ক্ষমতা প্রসারিত করতে R&D এবং উল্লম্ব GaN-এর বাণিজ্যিকীকরণকে ত্বরান্বিত করবে। অভিপ্রায় পত্র প্রস্তাবিত তহবিল কভার; চূড়ান্ত পুরস্কার বাণিজ্য বিভাগের পর্যালোচনা প্রক্রিয়ার সাপেক্ষে থাকে।

সূত্র

বিজনেস ওয়্যার/মর্নিংস্টারের মাধ্যমে উল্লম্ব সেমিকন্ডাক্টর ঘোষণা (22 অক্টোবর 2026); পালস 2 (22 অক্টোবর 2026)।