Micron abandona la DRAM 4F² y apuesta por 6F² y apilamiento 3D

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El presidente y director de tecnología de Micron, Scott DeBoer, dijo durante un seminario web sobre la hoja de ruta tecnológica de una década de duración el 21 de octubre que la compañía ha estudiado 4F² durante más de dos décadas (Micron lo inventó) pero ve problemas de escalamiento "fundamentales" en la vanguardia. Calificó la supuesta ventaja de densidad como "un poco mito": edificable en nodos más antiguos, pero más costosa y compleja sin una recompensa significativa.

En cambio, Micron ampliará su probada arquitectura 6F² y dará el salto a la unión avanzada de obleas y al apilamiento tridimensional. El nodo DRAM 1-delta sigue al nodo 1-gamma actual y está programado para funcionar en la segunda mitad de 2027 en la fábrica de Boise, ofreciendo una mejora de densidad de bits de alrededor del 20% y diseñado para HBM5 y HBM vertical. El nodo de 1 épsilon integrará completamente la unión de obleas; El desarrollo de DRAM 3D se ubica entre los nodos 1-zeta y 1-eta, con la litografía EUV High-NA en exploración.

En NAND, Micron se saltará una generación, saltando de Gen 9 a G11: más de 400 capas, el doble de la densidad de bits de Gen 9 y 1,5 veces la velocidad de E/S, y también aumentará en el segundo semestre de 2027. HBM4 ya se encuentra en producción de alto volumen a 2,8 TB/s por pila; Luego viene el HBM vertical apilado directamente en los procesadores, además de una memoria de inferencia de borde vertical de bajo consumo destinada a robots y automóviles.

Los rivales no lo siguen: CXMT de China dijo recientemente que tiene la intención de comercializar DRAM de servidor 4F², lo que hizo caer brevemente las existencias de memoria coreanas. Samsung y SK Hynix siguen comprometidos con los transistores de canal vertical para 4F². El árbitro en esta batalla de rutas será el rendimiento y el coste, y Micron apuesta por el 3D.