El Departamento de Comercio de EE. UU. otorgará hasta 73 millones de dólares a Vertical Semiconductor para transistores de potencia GaN para centros de datos de IA

Detalles técnicos

Surgida del MIT, la compañía está desarrollando una plataforma vertical GaN FinFET diseñada para ofrecer una mayor eficiencia energética y una mayor densidad de energía que los enfoques convencionales de conversión de energía: reducir las pérdidas de energía durante la conversión, limitar el calor y reducir la huella de la infraestructura eléctrica. La compañía dice que tales mejoras podrían permitir a los operadores de centros de datos implementar más capacidad informática sin aumentos proporcionales en la potencia de la red.

Declaración de la empresa

"La energía es el cuello de botella más importante en la construcción de infraestructura de IA", dijo la directora ejecutiva y cofundadora Cynthia Liao. Dijo que el premio de I+D de CHIPS acelerará la I+D y la comercialización de GaN vertical para ampliar la capacidad informática estadounidense dentro de las limitaciones de energía existentes. La carta de intención cubre la financiación propuesta; Las adjudicaciones finales siguen sujetas al proceso de revisión del Departamento de Comercio.

Fuentes

Anuncio de Vertical Semiconductor a través de Business Wire/Morningstar (22 de octubre de 2026); Pulse2 (22 de octubre de 2026).