N環球 
Micron DRAM 4F² را کاهش می دهد، روی 6F² و انباشته شدن 3 بعدی شرط بندی می کند
Scott DeBoer، مدیر ارشد فناوری Micron در یک وبینار فنی در 21 اکتبر گفت که مزیت چگالی 4F² "کمی افسانه" است. این شرکت 6F² را گسترش خواهد داد و به جای آن، DRAM سه بعدی را توسعه خواهد داد، با گره 1-delta ramping در H2 2027 در Boise.
چرا مهم است
4F² به عنوان دروازه ای اجتناب ناپذیر برای مقیاس بندی DRAM زیر 10 نانومتری تلقی می شود و سامسونگ و SK Hynix منابع را در آن می ریزند. Micron، سومین سازنده بزرگ DRAM در جهان، نشان می دهد که دهه آینده رشد حافظه از پیوند ویفر و انباشته عمودی حاصل خواهد شد - نه از کوچک شدن بیشتر سلول های مسطح.
گزارش کامل
رئیس و مدیر ارشد فناوری Micron، اسکات دیبور، در طی یک دهه وبینار نقشه راه فناوری در 21 اکتبر گفت که این شرکت بیش از دو دهه 4F² را مورد مطالعه قرار داده است – Micron آن را اختراع کرده است – اما مشکلات مقیاس‌پذیری «بنیادی» را در لبه نخست می‌بیند. او مزیت تراکم ادعا شده را «کمی افسانه» نامید: قابل ساخت در گره‌های قدیمی‌تر، اما پرهزینه‌تر و پیچیده‌تر بدون بازده معنادار.
Micron در عوض معماری 6F² اثبات شده خود را گسترش خواهد داد و به پیوند ویفر پیشرفته و انباشته شدن سه بعدی می جهد. گره DRAM 1-delta از گره 1-گامای کنونی پیروی می کند و قرار است در نیمه دوم سال 2027 در کارخانه Boise fab افزایش یابد و تراکم بیتی متوسط 20٪ بهبود یافته و برای HBM5 و HBM عمودی طراحی شده است. گره 1-epsilon به طور کامل پیوند ویفر را یکپارچه می کند. توسعه DRAM سه بعدی بین گره های 1-zeta و 1-eta با لیتوگرافی High-NA EUV در حال کاوش قرار دارد.
در NAND، Micron از نسل 9 به G11 می‌گذرد: بیش از 400 لایه، دو برابر تراکم بیت ژن 9 و سرعت I/O 1.5×، همچنین در H2 2027 افزایش می‌یابد. بعدی HBM عمودی است که مستقیماً روی پردازنده‌ها انباشته شده است، به‌علاوه حافظه استنتاج لبه‌های عمودی کم‌مصرف با هدف ربات‌ها و اتومبیل‌ها.
رقبا دنبال نمی‌کنند: CXMT چین اخیراً اعلام کرده است که قصد دارد DRAM سرور 4F² را تجاری کند و برای مدت کوتاهی ذخیره‌های حافظه کره‌ای را پایین بیاورد. سامسونگ و SK Hynix به ترانزیستورهای کانال عمودی برای 4F² متعهد هستند. داور در این نبرد مسیر بازده و هزینه خواهد بود - و Micron روی 3D شرط بندی می کند.
💬 Comments
No comments yet. Be the first!