بازرگانی ایالات متحده تا سقف 73 میلیون دلار به نیمه هادی عمودی برای ترانزیستورهای قدرت GaN برای مراکز داده هوش مصنوعی اعطا می کند.

جزئیات فنی

این شرکت که از MIT خارج شده، در حال توسعه یک پلت فرم عمودی GaN FinFET است که برای ارائه راندمان انرژی بیشتر و چگالی توان بالاتر نسبت به روش‌های تبدیل توان معمولی طراحی شده است: کاهش تلفات انرژی در حین تبدیل، محدود کردن گرما، و کاهش ردپای زیرساخت‌های الکتریکی. این شرکت می گوید چنین پیشرفت هایی می تواند به اپراتورهای مرکز داده اجازه دهد تا ظرفیت محاسباتی بیشتری را بدون افزایش متناسب در توان شبکه مستقر کنند.

بیانیه شرکت

سینتیا لیائو، مدیرعامل و یکی از بنیانگذاران، گفت: «قدرت مهم‌ترین گلوگاه در ساخت زیرساخت‌های هوش مصنوعی است. او گفت که جایزه تحقیق و توسعه تراشه‌ها تحقیق و توسعه و تجاری‌سازی GaN عمودی را برای گسترش ظرفیت محاسباتی آمریکا در محدودیت‌های توان موجود تسریع می‌کند. قصد نامه بودجه پیشنهادی را پوشش می دهد. جوایز نهایی همچنان منوط به روند بررسی وزارت بازرگانی است.

منابع

اعلام نیمه هادی عمودی از طریق Business Wire/Morningstar (22 اکتبر 2026)؛ پالس 2 (22 اکتبر 2026).