Le département américain du Commerce prévoit 73 millions de dollars pour Vertical Semiconductor et ses transistors GaN pour centres de données IA

Pourquoi c'est important

Vertical Semiconductor a annoncé le 22 octobre avoir signé une lettre d'intention avec le CHIPS Research and Development Office (CRDO) du département américain du Commerce pour recevoir jusqu'à 73 millions de dollars d'aides fédérales au titre du CHIPS and Science Act. Ce financement proposé accélérerait la R&D et la commercialisation de transistors de puissance à nitrure de gallium (GaN) vertical de nouvelle génération, destinés à améliorer l'alimentation électrique des centres de données IA et du calcul haute performance, tout en relocalisant la production aux États-Unis.

Détails techniques

Issue du MIT, l'entreprise développe une plateforme FinFET GaN vertical censée offrir une efficacité énergétique et une densité de puissance supérieures aux approches classiques de conversion : moins de pertes énergétiques, moins de chaleur et une infrastructure électrique plus compacte. Selon l'entreprise, ces progrès permettraient aux exploitants de centres de données de déployer davantage de capacité de calcul sans augmenter proportionnellement la puissance disponible sur le réseau.

Déclaration de l'entreprise

« L'électricité est le principal goulet d'étranglement dans le déploiement de l'infrastructure IA », a déclaré la PDG et cofondatrice Cynthia Liao. Elle affirme que cette subvention R&D CHIPS accélérera la R&D et la commercialisation du GaN vertical pour étendre la capacité de calcul américaine dans les limites des réseaux existants. La lettre d'intention porte sur un financement proposé ; l'octroi final reste soumis à l'examen du département du Commerce.

Sources

Annonce de Vertical Semiconductor via Business Wire/Morningstar (22 oct. 2026) ; Pulse2 (22 oct. 2026).