माइक्रोन ने 4F² DRAM को छोड़ा, 6F² और 3D स्टैकिंग पर दांव लगाया

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माइक्रोन के अध्यक्ष और मुख्य प्रौद्योगिकी अधिकारी स्कॉट डेबॉयर ने 21 अक्टूबर को एक दशक लंबे प्रौद्योगिकी रोडमैप वेबिनार के दौरान कहा कि कंपनी ने दो दशकों से अधिक समय तक 4F² का अध्ययन किया है - माइक्रोन ने इसका आविष्कार किया था - लेकिन 'मौलिक' स्केलिंग समस्याओं को अग्रणी स्थान पर देखता है। उन्होंने दावा किए गए घनत्व लाभ को 'थोड़ा सा मिथक' कहा: पुराने नोड्स पर निर्माण योग्य, लेकिन सार्थक भुगतान के बिना महंगा और अधिक जटिल।

माइक्रोन इसके बजाय अपने सिद्ध 6F² आर्किटेक्चर का विस्तार करेगा और उन्नत वेफर बॉन्डिंग और त्रि-आयामी स्टैकिंग की ओर छलांग लगाएगा। 1-डेल्टा DRAM नोड वर्तमान 1-गामा नोड का अनुसरण करता है और 2027 की दूसरी छमाही में बोइस फैब में रैंप पर आने के लिए तैयार है, जो मध्य 20% बिट-घनत्व में सुधार प्रदान करता है और HBM5 और वर्टिकल HBM के लिए डिज़ाइन किया गया है। 1-एप्सिलॉन नोड वेफर बॉन्डिंग को पूरी तरह से एकीकृत करेगा; 3डी डीआरएएम विकास को 1-ज़ेटा और 1-एटा नोड्स के बीच रखा गया है, जिसमें उच्च-एनए ईयूवी लिथोग्राफी की खोज की जा रही है।

NAND पर, माइक्रोन एक पीढ़ी को छोड़ देगा, Gen 9 से G11 तक छलांग लगाएगा: 400 से अधिक परतें, Gen 9 के बिट घनत्व से दोगुना और 1.5× I/O गति, H2 2027 में भी रैंपिंग। HBM4 पहले से ही 2.8 TB/s प्रति स्टैक पर उच्च मात्रा में उत्पादन में है; इसके बाद वर्टिकल एचबीएम आता है जो सीधे प्रोसेसर पर स्टैक्ड होता है, साथ ही रोबोट और कारों के लिए कम-शक्ति वाली वर्टिकल एज इंफ़ेक्शन मेमोरी भी आती है।

प्रतिद्वंद्वी अनुसरण नहीं कर रहे हैं: चीन के सीएक्सएमटी ने हाल ही में कहा कि वह 4F² सर्वर DRAM का व्यावसायीकरण करने का इरादा रखता है, जिससे कोरियाई मेमोरी स्टॉक में कमी आई है। सैमसंग और एसके हाइनिक्स 4F² के लिए वर्टिकल चैनल ट्रांजिस्टर के लिए प्रतिबद्ध हैं। इस मार्ग की लड़ाई में रेफरी की उपज और लागत होगी - और माइक्रोन 3डी पर दांव लगा रहा है।