米国商務省、AIデータセンター向けGaNパワートランジスタの垂直半導体社に最大7,300万ドルを授与

技術的な詳細

MITからスピンアウトした同社は、従来の電力変換アプローチよりも優れた電力効率と高い電力密度を実現するように設計された垂直型GaN FinFETプラットフォームを開発中です。つまり、変換中のエネルギー損失を削減し、熱を制限し、電気インフラストラクチャの設置面積を縮小します。同社は、こうした改善により、データセンター運営者はグリッド電力を比例的に増加させることなく、より多くのコンピューティング能力を導入できる可能性があると述べている。

会社声明

CEO 兼共同創設者のシンシア・リャオ氏は、「電力は AI インフラストラクチャの構築における最も大きなボトルネックです」と述べています。同氏は、CHIPS R&D賞により垂直GaNの研究開発と商品化が加速され、既存の電力制約内で米国のコンピューティング能力が拡大すると述べた。意向表明書には、提案された資金提供が含まれています。最終的な賞は依然として商務省の審査プロセスの対象となります。

情報源

ビジネスワイヤ/モーニングスターによるVertical Semiconductorの発表 (2026年10月22日)。パルス2 (2026年10月22日)。