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미국 상무부, AI 데이터 센터용 GaN 전력 트랜지스터용 수직 반도체에 최대 7,300만 달러 지원
Vertical Semiconductor는 AI 데이터 센터 전력 공급을 위한 수직형 질화 갈륨 전력 트랜지스터를 발전시키기 위해 미국 상무부의 CHIPS R&D Office와 CHIPS Act 자금에서 최대 7,300만 달러에 대한 의향서에 서명했습니다.
왜 중요한가요?
버티컬 세미컨덕터(Vertical Semiconductor)는 CHIPS 및 과학법(CHIPS and Science Act)에 따라 최대 7,300만 달러의 연방 인센티브를 받기로 미국 상무부 CHIPS 연구개발청(CRDO)과 의향서에 서명했다고 22일 발표했습니다. 제안된 자금은 AI 데이터 센터와 고성능 컴퓨팅을 위한 전력 공급을 개선하고 국내 생산을 활성화하는 것을 목표로 차세대 수직형 질화 갈륨(GaN) 전력 트랜지스터의 R&D 및 상용화를 가속화할 것입니다.
기술적인 세부사항
MIT에서 분사한 이 회사는 기존 전력 변환 접근 방식보다 더 높은 전력 효율성과 더 높은 전력 밀도를 제공하도록 설계된 수직형 GaN FinFET 플랫폼을 개발하고 있습니다. 즉, 변환 중 에너지 손실을 줄이고 열을 제한하며 전기 인프라의 설치 공간을 줄입니다. 회사는 이러한 개선을 통해 데이터 센터 운영자가 그리드 전력의 비례적인 증가 없이 더 많은 컴퓨팅 용량을 배포할 수 있다고 말합니다.
회사 성명
CEO이자 공동 창업자인 신시아 랴오(Cynthia Liao)는 "전력은 AI 인프라 구축에서 가장 중요한 병목 현상"이라고 말했습니다. 그녀는 CHIPS R&D 상이 기존 전력 제약 내에서 미국의 컴퓨팅 용량을 확장하기 위해 수직형 GaN의 R&D 및 상용화를 가속화할 것이라고 말했습니다. 의향서에는 제안된 자금이 포함됩니다. 최종 보상은 상무부의 검토 과정을 따릅니다.
출처
Business Wire/Morningstar를 통한 수직 반도체 발표(2026년 10월 22일) Pulse2(2026년 10월 22일).
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