ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ 4F² DRAM, 6F² ਅਤੇ 3D ਸਟੈਕਿੰਗ 'ਤੇ ਸੱਟਾ ਲਗਾਉਂਦਾ ਹੈ

ਪੂਰੀ ਰਿਪੋਰਟ

ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਦੇ ਪ੍ਰਧਾਨ ਅਤੇ ਮੁੱਖ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਧਿਕਾਰੀ ਸਕੌਟ ਡੀਬੋਅਰ ਨੇ 21 ਅਕਤੂਬਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਦਹਾਕੇ-ਲੰਬੇ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਰੋਡਮੈਪ ਵੈਬਿਨਾਰ ਦੌਰਾਨ ਕਿਹਾ ਕਿ ਕੰਪਨੀ ਨੇ ਦੋ ਦਹਾਕਿਆਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਮੇਂ ਤੋਂ 4F² ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ ਹੈ - ਮਾਈਕਰੋਨ ਨੇ ਇਸਦੀ ਖੋਜ ਕੀਤੀ - ਪਰ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਕਿਨਾਰੇ 'ਤੇ 'ਬੁਨਿਆਦੀ' ਸਕੇਲਿੰਗ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਦੇਖਦਾ ਹੈ। ਉਸਨੇ ਦਾਅਵਾ ਕੀਤੇ ਘਣਤਾ ਲਾਭ ਨੂੰ 'ਇੱਕ ਮਿੱਥ ਦਾ ਇੱਕ ਬਿੱਟ' ਕਿਹਾ: ਪੁਰਾਣੇ ਨੋਡਾਂ 'ਤੇ ਬਣਾਉਣ ਯੋਗ, ਪਰ ਇੱਕ ਅਰਥਪੂਰਨ ਅਦਾਇਗੀ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਮਹਿੰਗਾ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਗੁੰਝਲਦਾਰ।

ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਇਸ ਦੀ ਬਜਾਏ ਆਪਣੇ ਸਾਬਤ ਹੋਏ 6F² ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਨੂੰ ਵਧਾਏਗਾ ਅਤੇ ਉੱਨਤ ਵੇਫਰ ਬੰਧਨ ਅਤੇ ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ ਸਟੈਕਿੰਗ ਵੱਲ ਲੀਪ ਕਰੇਗਾ। 1-ਡੈਲਟਾ DRAM ਨੋਡ ਮੌਜੂਦਾ 1-ਗਾਮਾ ਨੋਡ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ 2027 ਦੇ ਦੂਜੇ ਅੱਧ ਵਿੱਚ ਬੋਇਸ ਫੈਬ ਵਿੱਚ ਰੈਂਪ ਲਈ ਸੈੱਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਮੱਧ-20% ਬਿੱਟ-ਘਣਤਾ ਸੁਧਾਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ HBM5 ਅਤੇ ਲੰਬਕਾਰੀ HBM ਲਈ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। 1-ਐਪਸੀਲੋਨ ਨੋਡ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਵੇਫਰ ਬੰਧਨ ਨੂੰ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰੇਗਾ; 3D DRAM ਵਿਕਾਸ ਨੂੰ 1-zeta ਅਤੇ 1-eta ਨੋਡਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਸਲਾਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਖੋਜ ਅਧੀਨ ਹਾਈ-NA EUV ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਦੇ ਨਾਲ।

NAND 'ਤੇ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਇੱਕ ਪੀੜ੍ਹੀ ਨੂੰ ਛੱਡੇਗਾ, Gen 9 ਤੋਂ G11 ਤੱਕ ਜੰਪ ਕਰੇਗਾ: 400 ਤੋਂ ਵੱਧ ਲੇਅਰਾਂ, ਦੋ ਵਾਰ Gen 9 ਦੀ ਬਿੱਟ ਘਣਤਾ ਅਤੇ 1.5× I/O ਸਪੀਡ, H2 2027 ਵਿੱਚ ਵੀ ਰੈਂਪਿੰਗ। HBM4 ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ 2.8 TB/s ਪ੍ਰਤੀ st ਦੀ ਉੱਚ-ਆਵਾਜ਼ ਵਿੱਚ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਹੈ। ਅੱਗੇ ਆਉਂਦਾ ਹੈ ਵਰਟੀਕਲ HBM ਸਿੱਧੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਰਾਂ 'ਤੇ ਸਟੈਕ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਨਾਲ ਹੀ ਰੋਬੋਟ ਅਤੇ ਕਾਰਾਂ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨਾਲ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ ਵਰਟੀਕਲ ਐਜ ਇਨਫਰੈਂਸ ਮੈਮੋਰੀ।

ਵਿਰੋਧੀ ਪਾਲਣਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਰਹੇ ਹਨ: ਚੀਨ ਦੇ CXMT ਨੇ ਹਾਲ ਹੀ ਵਿੱਚ ਕਿਹਾ ਹੈ ਕਿ ਉਹ 4F² ਸਰਵਰ DRAM ਦਾ ਵਪਾਰੀਕਰਨ ਕਰਨ ਦਾ ਇਰਾਦਾ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਸੰਖੇਪ ਵਿੱਚ ਕੋਰੀਆਈ ਮੈਮੋਰੀ ਸਟਾਕਾਂ ਨੂੰ ਹੇਠਾਂ ਖਿੱਚਦਾ ਹੈ। Samsung ਅਤੇ SK Hynix 4F² ਲਈ ਲੰਬਕਾਰੀ ਚੈਨਲ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਲਈ ਵਚਨਬੱਧ ਹਨ। ਇਸ ਰੂਟ ਲੜਾਈ ਵਿੱਚ ਰੈਫਰੀ ਉਪਜ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਹੋਵੇਗੀ — ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ 3D 'ਤੇ ਸੱਟਾ ਲਗਾ ਰਿਹਾ ਹੈ।