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Micron abandona 4F² DRAM, aposta em 6F² e empilhamento 3D
O CTO da Micron, Scott DeBoer, disse em um webinar técnico em 21 de outubro que a vantagem de densidade do 4F² é “um pouco como um mito”; a empresa estenderá 6F² e desenvolverá DRAM 3D, com o nó de 1 delta aumentando no segundo semestre de 2027 em Boise.
Por que isso importa
4F² foi tratado como a porta de entrada inevitável para o dimensionamento de DRAM abaixo de 10 nm, com a Samsung e a SK Hynix investindo recursos nele. A saída da Micron, terceira maior fabricante de DRAM do mundo, sinaliza que a próxima década de crescimento da memória virá da ligação de wafers e do empilhamento vertical - e não do encolhimento ainda maior das células planares.
Relatório completo
O presidente e diretor de tecnologia da Micron, Scott DeBoer, disse durante um webinar de roteiro de tecnologia de uma década em 21 de outubro que a empresa estudou 4F² por mais de duas décadas – a Micron o inventou – mas vê problemas de escalamento “fundamentais” na vanguarda. Ele chamou a alegada vantagem de densidade de “uma espécie de mito”: edificável em nós mais antigos, mas mais cara e complexa sem uma recompensa significativa.
Em vez disso, a Micron ampliará sua arquitetura 6F² comprovada e saltará para a ligação avançada de wafer e empilhamento tridimensional. O nó DRAM de 1 delta segue o atual nó de 1 gama e está programado para acelerar no segundo semestre de 2027 na fábrica de Boise, proporcionando uma melhoria de densidade de bits de 20% e projetado para HBM5 e HBM vertical. O nó 1-épsilon integrará totalmente a ligação de wafer; O desenvolvimento de DRAM 3D é dividido entre os nós 1-zeta e 1-eta, com litografia EUV de alto NA em exploração.
Na NAND, a Micron pulará uma geração, saltando da Geração 9 para a G11: mais de 400 camadas, o dobro da densidade de bits da Geração 9 e velocidade de E/S de 1,5×, também aumentando no segundo semestre de 2027. O HBM4 já está em produção de alto volume a 2,8 TB/s por pilha; em seguida vem o HBM vertical empilhado diretamente nos processadores, além de memória de inferência de borda vertical de baixo consumo voltada para robôs e carros.
Os rivais não estão acompanhando: a CXMT da China disse recentemente que pretende comercializar DRAM de servidor 4F², reduzindo brevemente os estoques de memória coreanos. Samsung e SK Hynix continuam comprometidas com transistores de canal vertical para 4F². O árbitro nesta batalha de rota será o rendimento e o custo – e a Micron está apostando no 3D.
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