N環球 
Micron отказывается от 4F² DRAM, делает ставку на 6F² и 3D-стекинг
Технический директор Micron Скотт ДеБоер заявил на техническом вебинаре 21 октября, что преимущество 4F² в плотности — это «своего рода миф»; вместо этого компания расширит 6F² и разработает 3D DRAM, а во втором полугодии 2027 года в Бойсе увеличит объем узла на 1 дельта.
Почему это важно
4F² рассматривается как неизбежный путь к масштабированию DRAM менее 10 нм, и Samsung и SK Hynix вкладывают в него ресурсы. Уход Micron, третьего по величине производителя DRAM в мире, сигнализирует о том, что в следующем десятилетии рост памяти будет происходить за счет соединения пластин и вертикального укладки, а не за счет дальнейшего сокращения плоских ячеек.
Полный отчет
Президент и главный технический директор Micron Скотт ДеБоер заявил 21 октября во время десятилетнего вебинара по технологической карте, что компания изучала 4F² более двух десятилетий — Micron изобрела его — но видит «фундаментальные» проблемы масштабирования на переднем крае. Он назвал заявленное преимущество плотности «своего рода мифом»: его можно построить на старых узлах, но оно более дорогостоящее и сложное без значимой отдачи.
Вместо этого Micron расширит свою проверенную архитектуру 6F² и перейдет к усовершенствованным соединениям пластин и трехмерной укладке. Узел DRAM 1-delta следует за текущим узлом 1-gamma и будет запущен во второй половине 2027 года на заводе в Бойсе, обеспечивая улучшение битовой плотности примерно на 20% и предназначенный для HBM5 и вертикального HBM. Узел 1-эпсилон будет полностью интегрировать соединение пластин; Разработка 3D DRAM находится между узлами 1-дзета и 1-эта, а литография EUV с высокой NA находится в стадии изучения.
Что касается NAND, Micron пропустит поколение, перейдя с Gen 9 на G11: более 400 слоев, удвоенная битовая плотность по сравнению с Gen 9 и скорость ввода-вывода в 1,5 раза, которая также будет расти во втором полугодии 2027 года. HBM4 уже находится в крупносерийном производстве со скоростью 2,8 ТБ/с на стек; Далее идут вертикальные HBM, установленные непосредственно на процессорах, а также маломощная память с выводом по вертикальным границам, предназначенная для роботов и автомобилей.
Конкуренты не следуют за ней: китайская компания CXMT недавно заявила, что намерена коммерциализировать серверную DRAM 4F², что на короткое время привело к падению корейских запасов памяти. Samsung и SK Hynix по-прежнему привержены транзисторам с вертикальным каналом для 4F². Решающим фактором в этой битве будет качество и стоимость — и Micron делает ставку на 3D.
💬 Comments
No comments yet. Be the first!