மைக்ரான் டிட்ச்கள் 4F² DRAM, 6F² மற்றும் 3D ஸ்டாக்கிங்கில் பந்தயம்

முழு அறிக்கை

மைக்ரான் தலைவரும் தலைமை தொழில்நுட்ப அதிகாரியுமான ஸ்காட் டிபோயர், அக்டோபர் 21 ஆம் தேதி பத்தாண்டு கால தொழில்நுட்ப சாலை வரைபட வலையமைப்பின் போது, ​​நிறுவனம் இரண்டு தசாப்தங்களுக்கும் மேலாக 4F² ஐப் படித்துள்ளது - மைக்ரான் அதைக் கண்டுபிடித்தது - ஆனால் முன்னணி விளிம்பில் 'அடிப்படை' அளவிடுதல் சிக்கல்களைக் காண்கிறது. அவர் கோரப்பட்ட அடர்த்தி நன்மையை 'ஒரு கட்டுக்கதை' என்று அழைத்தார்: பழைய முனைகளில் உருவாக்கக்கூடியது, ஆனால் அர்த்தமுள்ள ஊதியம் இல்லாமல் விலை உயர்ந்தது மற்றும் மிகவும் சிக்கலானது.

மைக்ரான் அதற்குப் பதிலாக அதன் நிரூபிக்கப்பட்ட 6F² கட்டமைப்பை விரிவுபடுத்தி, மேம்பட்ட செதில் பிணைப்பு மற்றும் முப்பரிமாண ஸ்டேக்கிங்கிற்குத் தாவுகிறது. 1-டெல்டா DRAM கணு தற்போதைய 1-காமா முனையைப் பின்பற்றுகிறது மற்றும் 2027 இன் இரண்டாம் பாதியில் Boise fab இல் ரேம்ப் அமைக்கப்படுகிறது, இது நடுவில் 20% பிட்-அடர்த்தி மேம்பாட்டை வழங்குகிறது மற்றும் HBM5 மற்றும் செங்குத்து HBM க்காக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. 1-எப்சிலான் முனை செதில் பிணைப்பை முழுமையாக ஒருங்கிணைக்கும்; 3D DRAM மேம்பாடு 1-zeta மற்றும் 1-eta முனைகளுக்கு இடையே ஸ்லாட் செய்யப்படுகிறது, உயர்-NA EUV லித்தோகிராஃபி ஆய்வுக்கு உட்பட்டது.

NAND இல், மைக்ரான் ஒரு தலைமுறையைத் தவிர்க்கும், Gen 9 இலிருந்து G11க்கு தாவுகிறது: 400 அடுக்குகளுக்கு மேல், இரண்டு மடங்கு Gen 9 இன் பிட் அடர்த்தி மற்றும் 1.5× I/O வேகம், மேலும் H2 2027 இல் ரேம்பிங். HBM4 ஏற்கனவே ஒரு ஸ்டேக்கிற்கு 2.8 TB/s என்ற அளவில் அதிக அளவு உற்பத்தியில் உள்ளது; அடுத்ததாக செங்குத்து HBM ஆனது செயலிகளில் நேரடியாக அடுக்கி வைக்கப்பட்டுள்ளது, மேலும் ரோபோக்கள் மற்றும் கார்களை இலக்காகக் கொண்ட குறைந்த சக்தி கொண்ட செங்குத்து விளிம்பு அனுமான நினைவகம்.

போட்டியாளர்கள் பின்தொடரவில்லை: சீனாவின் CXMT சமீபத்தில் 4F² சர்வர் DRAM ஐ வணிகமயமாக்க விரும்புவதாகக் கூறியது, இது கொரிய நினைவக பங்குகளை சுருக்கமாக இழுக்கிறது. சாம்சங் மற்றும் எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் 4F²க்கான செங்குத்து சேனல் டிரான்சிஸ்டர்களில் உறுதியாக உள்ளன. இந்த வழிப் போரில் நடுவர் விளைச்சல் மற்றும் செலவு - மற்றும் மைக்ரான் 3D இல் பந்தயம் கட்டுகிறது.