Micron відмовляється від 4F² DRAM, робить ставку на 6F² і 3D стекування

Повний звіт

21 жовтня президент і головний технічний директор Micron Скотт ДеБоер сказав під час десятирічного вебінару з технологічної дорожньої карти, що компанія вивчала 4F² понад два десятиліття — Micron його винайшла — але бачить «фундаментальні» проблеми масштабування на передньому краї. Він назвав заявлену перевагу щільності «дещо міфом»: можна побудувати на старих вузлах, але дорожче та складніше без суттєвої виплати.

Натомість Micron розширить свою перевірену архітектуру 6F² і перейде до вдосконаленого склеювання пластин і тривимірного стекування. Вузол 1-дельта DRAM слідує за поточним вузлом 1-гамма, і його планується розширити у другій половині 2027 року на заводі в Бойсі, забезпечуючи покращення щільності бітів на 20% і розроблене для HBM5 і вертикального HBM. Вузол 1 епсилон повністю інтегрує склеювання пластин; Розробка 3D DRAM розміщується між вузлами 1-zeta та 1-eta, досліджується літографія High-NA EUV.

На NAND Micron пропустить покоління, перейшовши з Gen 9 до G11: понад 400 шарів, подвоєна щільність бітів Gen 9 і швидкість вводу-виводу в 1,5 раза, також наростаюча у другій половині 2027 року. HBM4 вже знаходиться у великому виробництві зі швидкістю 2,8 ТБ/с на стек; наступним є вертикальний HBM, укладений безпосередньо на процесори, а також малопотужна вертикальна пам’ять для виведення країв, призначена для роботів і автомобілів.

Конкурентів немає: китайська CXMT нещодавно заявила, що має намір комерціалізувати серверну DRAM 4F², ненадовго зменшивши корейські запаси пам’яті. Samsung і SK Hynix залишаються відданими транзисторам з вертикальним каналом для 4F². Суддею в цьому маршрутному бою будуть yield і cost — і Micron робить ставку на 3D.