مائیکرون 4F² DRAM، 6F² اور 3D اسٹیکنگ پر شرط لگاتا ہے۔

مکمل رپورٹ

مائیکرون کے صدر اور چیف ٹیکنالوجی آفیسر سکاٹ ڈی بوئر نے 21 اکتوبر کو ایک دہائی طویل ٹیکنالوجی روڈ میپ ویبینار کے دوران کہا کہ کمپنی نے دو دہائیوں سے زیادہ عرصے سے 4F² کا مطالعہ کیا ہے — مائکرون نے اسے ایجاد کیا ہے — لیکن وہ 'بنیادی' اسکیلنگ کے مسائل کو سر فہرست ہے۔ اس نے دعوی کردہ کثافت کے فائدہ کو 'تھوڑا سا افسانہ' قرار دیا: پرانے نوڈس پر قابل تعمیر، لیکن بامعنی ادائیگی کے بغیر مہنگا اور زیادہ پیچیدہ۔

مائکرون اس کے بجائے اپنے ثابت شدہ 6F² فن تعمیر کو بڑھا دے گا اور اعلی درجے کی ویفر بانڈنگ اور تین جہتی اسٹیکنگ پر چھلانگ لگائے گا۔ 1-ڈیلٹا DRAM نوڈ موجودہ 1-gamma نوڈ کی پیروی کرتا ہے اور Boise fab میں 2027 کے دوسرے نصف حصے میں ریمپ کرنے کے لیے تیار ہے، جس میں 20% بٹ کثافت میں بہتری آتی ہے اور اسے HBM5 اور عمودی HBM کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ 1-epsilon نوڈ مکمل طور پر ویفر بانڈنگ کو مربوط کرے گا۔ 3D DRAM ڈیولپمنٹ کو 1-zeta اور 1-eta نوڈس کے درمیان سلاٹ کیا گیا ہے، جس میں ہائی-NA EUV لیتھوگرافی زیر تفتیش ہے۔

NAND پر، Micron Gen 9 سے G11 پر چھلانگ لگاتے ہوئے ایک جنریشن کو چھوڑے گا: 400 سے زیادہ پرتیں، دو بار Gen 9 کی بٹ کثافت اور 1.5× I/O رفتار، H2 2027 میں بھی ریمپنگ۔ HBM4 پہلے ہی 2.8 TB/s فی st پر ہائی والیوم پروڈکشن میں ہے۔ اس کے بعد آتا ہے عمودی HBM براہ راست پروسیسرز پر اسٹیک کیا جاتا ہے، نیز کم طاقت والی عمودی ایج انفرنس میموری جس کا مقصد روبوٹس اور کاریں ہیں۔

حریف پیروی نہیں کر رہے ہیں: چین کے CXMT نے حال ہی میں کہا کہ وہ 4F² سرور DRAM کو تجارتی بنانے کا ارادہ رکھتا ہے، مختصر طور پر کوریائی میموری اسٹاک کو نیچے گھسیٹتا ہے۔ Samsung اور SK Hynix 4F² کے لیے عمودی چینل ٹرانزسٹرز کے لیے پرعزم ہیں۔ اس راستے کی جنگ میں ریفری کی پیداوار اور لاگت ہوگی — اور مائکرون 3D پر شرط لگا رہا ہے۔