N環球 
امریکی کامرس AI ڈیٹا سینٹرز کے لیے GaN پاور ٹرانزسٹرز کے لیے عمودی سیمی کنڈکٹر کو $73 ملین تک کا انعام دے گا۔
عمودی سیمی کنڈکٹر نے امریکی کامرس ڈیپارٹمنٹ کے CHIPS R&D آفس کے ساتھ AI ڈیٹا سینٹر پاور ڈیلیوری کے لیے عمودی گیلیم نائٹرائڈ پاور ٹرانجسٹروں کو آگے بڑھانے کے لیے CHIPS ایکٹ کی فنڈنگ میں $73 ملین تک کے ارادے کے خط پر دستخط کیے ہیں۔
یہ کیوں اہمیت رکھتا ہے۔
عمودی سیمی کنڈکٹر نے 22 اکتوبر کو اعلان کیا کہ اس نے CHIPS اور سائنس ایکٹ کے تحت وفاقی مراعات میں $73 ملین تک وصول کرنے کے لیے امریکی محکمہ تجارت کے CHIPS ریسرچ اینڈ ڈیولپمنٹ آفس (CRDO) کے ساتھ ارادے کے ایک خط پر دستخط کیے ہیں۔ مجوزہ فنڈنگ اگلی نسل کے عمودی گیلیم نائٹرائڈ (GaN) پاور ٹرانزسٹروں کے R&D اور کمرشلائزیشن کو تیز کرے گی، جس کا مقصد AI ڈیٹا سینٹرز کے لیے بجلی کی ترسیل کو بہتر بنانا اور اعلیٰ کارکردگی والے کمپیوٹنگ اور گھریلو پیداوار کو کھولنا ہے۔
تکنیکی تفصیلات
MIT سے باہر نکل کر، کمپنی ایک عمودی GaN FinFET پلیٹ فارم تیار کر رہی ہے جو روایتی پاور تبادلوں کے طریقوں سے زیادہ بجلی کی کارکردگی اور زیادہ پاور کثافت فراہم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے: تبادلوں کے دوران توانائی کے نقصانات کو کم کرنا، حرارت کو محدود کرنا، اور برقی انفراسٹرکچر کے نقش کو سکڑنا۔ کمپنی کا کہنا ہے کہ اس طرح کی بہتری ڈیٹا سینٹر آپریٹرز کو گرڈ پاور میں متناسب اضافے کے بغیر زیادہ کمپیوٹنگ کی صلاحیت کو تعینات کرنے دے سکتی ہے۔
کمپنی کا بیان
سی ای او اور شریک بانی سنتھیا لیاو نے کہا، "اے آئی انفراسٹرکچر کی تعمیر میں طاقت سب سے اہم رکاوٹ ہے۔" انہوں نے کہا کہ CHIPS R&D ایوارڈ R&D اور عمودی GaN کی کمرشلائزیشن کو تیز کرے گا تاکہ موجودہ بجلی کی رکاوٹوں کے اندر امریکی کمپیوٹ کی صلاحیت کو بڑھایا جا سکے۔ ارادے کا خط مجوزہ فنڈنگ کا احاطہ کرتا ہے؛ حتمی ایوارڈز کامرس ڈیپارٹمنٹ کے جائزہ کے عمل سے مشروط ہیں۔
ذرائع
عمودی سیمی کنڈکٹر کا اعلان بذریعہ بزنس وائر/مارننگ اسٹار (22 اکتوبر 2026)؛ پلس 2 (22 اکتوبر 2026)۔
💬 Comments
No comments yet. Be the first!