Bộ Thương mại Hoa Kỳ trao số tiền lên tới 73 triệu USD cho Công ty bán dẫn dọc dành cho các bóng bán dẫn điện GaN cho các trung tâm dữ liệu AI

Chi tiết kỹ thuật

Tách khỏi MIT, công ty đang phát triển nền tảng GaN FinFET dọc được thiết kế để mang lại hiệu suất năng lượng cao hơn và mật độ năng lượng cao hơn so với các phương pháp chuyển đổi năng lượng thông thường: cắt giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển đổi, hạn chế nhiệt và thu hẹp diện tích của cơ sở hạ tầng điện. Công ty cho biết những cải tiến như vậy có thể cho phép các nhà khai thác trung tâm dữ liệu triển khai nhiều công suất tính toán hơn mà không cần tăng công suất lưới theo tỷ lệ.

Tuyên bố của công ty

Giám đốc điều hành và đồng sáng lập Cynthia Liao cho biết: “Quyền lực là nút thắt đáng kể nhất trong việc xây dựng cơ sở hạ tầng AI”. Bà cho biết giải thưởng R&D CHIPS sẽ đẩy nhanh hoạt động R&D và thương mại hóa GaN theo chiều dọc để mở rộng năng lực tính toán của Mỹ trong điều kiện hạn chế về năng lượng hiện có. Thư bày tỏ ý định bao gồm nguồn tài trợ được đề xuất; giải thưởng cuối cùng vẫn phải tuân theo quy trình xem xét của Bộ Thương mại.

Nguồn

Thông báo về Bán dẫn dọc qua Business Wire/Morningstar (22 tháng 10 năm 2026); Pulse2 (22 tháng 10 năm 2026).