中国长鑫存储传将量产 HBM3E：良率仅两三成仍硬上，补 AI 记忆体缺口

据路透社 10 月 28 日报道，中国长鑫存储（CXMT）计划开始生产 HBM3E——一种与 AI 处理器搭配使用的先进高频宽记忆体，尽管其生产线上只有约两至三成晶片合乎规格。两名知情人士表示，长鑫存储已向多家中国本土 AI 晶片设计公司送交 HBM3E 样品，预计在未来两个月内开始有限量产。

良率与龙头差距大，为何仍要量产

良率是指生产线上合乎规格的晶片比例。知情人士称，长鑫存储目前的 HBM3E 良率仅约 20% 至 30%，相比之下，市场龙头韩国 SK 海力士约为 70%。路透社指出，这一决定凸显中国 AI 记忆体晶片的严重短缺：在美国限制取得外国先进技术的背景下，中国正由政府支持发展可大规模替代辉达 AI 处理器的本土方案，而高频宽记忆体正是关键一环。

背景与各方回应

高频宽记忆体是把多层记忆体晶片垂直堆叠，让它能与 AI 处理器高速交换数据，是训练与运行大型语言模型的专用晶片不可或缺的部件。美国在 2024 年 12 月收紧了向中国出口部分先进高频宽记忆体产品的管制；知情人士称，中国晶片制造商越来越多透过非官方渠道取得这类记忆体，价格可达正常水平的数倍。长鑫存储是中国最大的动态随机存取记忆体制造商，The Information 率先报道了它的 HBM3E 计划，路透社则首次披露良率与量产时间表。截至报道时，长鑫存储与 SK 海力士均未回应置评请求，知情人士因计划尚未公开而要求匿名。