imec 与 Lam Research 扩大合作，攻 3D 晶片制造与高数值孔径 EUV 难题

比利时半导体研究中心 imec 与半导体设备商 Lam Research 扩大了战略合作，合力攻克先进 3D 晶片整合与下一代微影技术的制造难题。据 Intelligent CIO 欧洲版 10 月 30 日报道，随著 AI 算力基础设施需求加速，传统电晶体微缩越来越难，业界需要新的制程来提升处理器效能、记忆体频宽与能源效率。

合作要解决什么

研究人员将探讨支援先进封装、异质整合与未来记忆体架构的制造流程，结合 Lam 的沉积与蚀刻技术和 imec 的半导体研究设施。重点领域包括厚介电层沉积、应力补偿、电浆切割，以及针对越来越复杂的三维记忆体结构的高深宽比蚀刻。

高数值孔径 EUV 的一环

合作还延伸到 Lam 的 Aether 干式光阻技术，该技术针对高数值孔径极紫外光微影（high-NA EUV）设计。研究人员将利用 imec 的先进微影设施，研究未来半导体制程节点在图案解析度、灵敏度与缺陷减少方面的改进。

已有的进展与下一步

此前的联合研究已展示以单次曝光制作 20 奈米间距的钌金属互连，桥接敏感测试结构的电性良率达 100%，断裂敏感结构超过 90%。两家公司认为，这类成果有望减少复杂的多重图案化需求、提升制造效率。下一步还将研究先进互连与半导体架构，包括环绕式闸极电晶体与互补式场效电晶体。报道指出，两家公司未披露财务条款，也未给出工业化部署的时间表；对晶片制造商而言，核心挑战仍是把越来越精密的研究转化为可靠、可扩展的量产制程。