东北大学与爱信研发全球首款内置STT-MRAM的16奈米AI晶片　开机快近39倍

日本东北大学与汽车零件制造商爱信（Aisin）11月2日宣布，共同研发出一款内置STT-MRAM的16奈米AI系统单晶片，据称是全球首款同类设计。STT-MRAM是一种断电后仍能保存数据的非挥发性记忆体，团队把作业系统与AI模型权重直接存进晶片内的记忆体，省去从外部DRAM与固态硬碟读取的时间。

开机与能耗数据

据东北大学公布，晶片以16奈米FinFET制程制造，内置32MB的STT-MRAM、一个AI加速器、两个Arm Cortex-A53 CPU核心与一个Arm Mali-G31 GPU。由通电到作业系统内核开始启动只需65.7毫秒，传统设计则需2,535.3毫秒，快约38.59倍；以Tiny YOLOv3做物件侦测时，每帧耗电50.7毫焦耳，约为传统设计的五十分之一。

研究由东北大学国际集积电子系统研究中心远藤哲郎教授团队与爱信工程师合作完成，成果在11月1日至4日于台湾新竹举行的IEEE亚洲固态电路会议（A-SSCC 2026）上发表。东北大学称这种设计为「近记忆体运算」：加速器直接从旁边的MRAM读取权重，不必经过外部记忆体。

应用前景与保留意见

双方未公布售价、量产时间表或客户，只表示目标是把设计延伸到汽车、机械人、工业设备与感测装置。半导体专栏作家Dan Nystedt在社交平台指出，这次是真实晶片的展示，但「并非革命性突破」：Hailo、Ambarella与Renesas等厂商早已采用大容量片上SRAM、嵌入式MRAM或封装内DRAM等类似做法，关键要看爱信能否把设计放进量产零件，以及在更大模型上的表现。

配图为资料图片：AI晶片示意图，非本次研发的晶片实拍。