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三星传将用台积电技术生产辉达下一代 AI 记忆体晶片
《首尔经济日报》报导，三星将采用台积电 3 奈米制程为辉达下一代 NVHBM 记忆体生产基底晶片，起因是自家代工良率未达标；辉达据称要求三星、SK 海力士、美光一律跟进。
为何重要
若消息属实，将是一次罕见的逆转：全球最大晶片制造商之一的三星，竟在辉达的要求下把关键制程外包给死对头台积电。显示 AI 记忆体供应链已紧绷到连巨头都得向「能交出良率的人」低头。
全文
《首尔经济日报》周日报导，三星电子将采用台积电 3 奈米制程，为辉达下一代客制化高频宽记忆体（NVHBM）生产基底晶片。
报导称，三星在自家晶圆代工良率未达要求后，接受了辉达的供货条件，同意把 AI 记忆体基底晶片外包给台积电生产。辉达并要求其记忆体供应商——三星、SK 海力士与美光——一律采用台积电生产的基底晶片，用于即将推出的 NVHBM 硬体。
三星、台积电与辉达均未证实此消息；量产目标、交货时程与财务条件也未披露。
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