三星牙山 HBM 先进封装厂动工　总投资 46 万亿韩元、2028 年投产

三星电子周四（11 月 12 日，韩国时间）在忠清南道牙山为新建 HBM（高带宽内存）先进封装厂举行奠基仪式，厂房投资 6 万亿韩元（约 44.8 亿美元），其后还将跟进约 40 万亿韩元的先进设备投资，合计约 46 万亿韩元（约 340 亿美元）。新产线计划 2028 年 6 月投产，比原计划提前一年。韩国总统李在明与三星电子会长李在镕出席了仪式。

为 AI 伺服器内存需求扩产

三星在仪式上表示，新厂将设三层、总面积约 3.1 万平方米的洁净室，专门封装用于 AI 伺服器的 HBM 晶片。随著 AI 数据中心对高带宽内存的需求急升，HBM 已成为全球最紧俏的晶片产品之一；三星把投产时间提前一年，是为抢占下一代 AI 内存的供应份额。李在明在仪式上说，牙山园区「将成为先进 HBM 封装的核心基地」。

韩国「超级项目」的一部分

这次扩产是三星旗下关联企业 7 月公布的投资计划的一部分，也是韩国政府推动的半导体、实体 AI 与 AI 数据中心「超级项目」（mega projects）的一环；政府已邀请三星、SK 海力士等企业参与。分析认为，韩国正把先进封装视为与先进制程同等重要的竞争战场，封装产能将决定 HBM 的出货速度。

接下来看什么

新厂 2028 年 6 月投产后，三星的 HBM 产能将大幅提升；市场将关注其下一代产品能否如期通过大客户认证，以及韩国政府的超级项目如何带动相关产业投资。来源：路透社；Aju Press；《首尔经济日报》英文版。