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联电携手 AP Memory 攻 AI 供电：深沟槽电容嵌入先进封装，Gen2D 矽电容完成验证
联电与 AP Memory 于 10 月 22 日宣布技术与制造合作，把电容直接嵌进中介层与基板，缩短 AI 系统的供电路径；AP Memory 的 Gen2D 矽电容设计已完成投片与初步功能验证。
为何重要
AI 工作负载快速扩张，正对运算系统内的供电提出前所未有的要求。传统做法是把稳压元件放在电路板上，新架构改为把电容直接嵌进中介层（interposer）或基板，缩短供电路径、改善电源完整性，并支援先进封装内更有效率的电压调节。
全文
联华电子（UMC，纽约证交所代号 UMC、台湾证交所代号 2303）与 AP Memory（台湾证交所代号 6531）于 2026 年 10 月 22 日在新竹宣布技术与制造合作，开发 AI 与高效能运算（HPC）系统的供电解决方案。合作结合联电的深沟槽电容（DTC）晶圆代工技术与可扩充的晶圆制造能力，以及 AP Memory 的矽电容设计与系统级整合能力，目标是解决下一代资料中心的电源效率挑战。
合作已在 2026 年第三季达成一项重要里程碑：AP Memory 的 S-SiCap Gen2D 分离式矽电容设计完成投片（tape-out）与初步功能验证。下一步是对基板封装中的电容进行全面的系统级性能与可靠性测试，支援多种电容值与工作电压需求。双方也正在探讨把合作延伸到其他产品线，包括内嵌电容的中介层与封装背面电容，以因应不同的系统设计。
据公司介绍，联电在全球拥有 12 座晶圆厂，以 12 吋晶圆计的合计月产能超过 40 万片。AP Memory 则是一家无晶圆厂设计公司，产品包括物联网记忆体、AI 记忆体解决方案与矽电容。
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