台积电传考虑进军先进记忆体　应辉达要求规划 3D DRAM

据《The Information》11 月 6 日报道，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进记忆体晶片生产，已开始为一种名为 3D DRAM 的新型记忆体制定生产计划，起因是最大客户辉达提出要求。路透社引述报道称，消息来自两名直接知情人士；台积电与辉达暂未回应路透社的置评请求。

考虑中的方案

台积电可能新建专用厂房，也可能收购现有厂房改作记忆体生产，类似美光今年收购晶圆厂改产 DRAM 的做法。报道未说明何时投产，也未披露投资金额与产能目标。主导这项评估的是负责先进封装的副总经理徐国晋。

什么是 3D DRAM

DRAM 是处理器工作时暂存数据的记忆体。3D DRAM 把储存单元垂直堆叠，同一面积可容纳更多容量；与 AI 处理器常用的高频宽记忆体（HBM）不同，HBM 是把多颗 DRAM 晶片堆叠封装，3D DRAM 则是在单颗晶片内部立体化。目前三星、SK 海力士与美光主导记忆体市场，三家也都在研发 3D DRAM；SK 海力士的路线图曾把 3D DRAM 列在约 2030 年，美光则把它放在未来两代制程之间。

短缺推高价格　市场即时反应

AI 需求带动的记忆体短缺已推高价格，晶片设计商四出找货源。报道指出，辉达与苹果都在寻找更多供应来源。消息传出后，台积电美股存托凭证周五中午一度升约 6%，报 374.17 美元，辉达升约 3.5%，报 187.94 美元。

接下来

目前一切仍在「考虑」阶段：台积电未宣布任何计划，也未承诺时间表。即使决定进军，从建厂到量产仍需数年，而且要与三星、SK 海力士及美光正面竞争。市场关注的下一步，是台积电是否正式确认计划，以及辉达会否把更多记忆体订单交给台积电以外的供应商。

（资料图片：台积电晶圆厂。）