台积电否认应英伟达要求生产 3D DRAM　重申专注晶圆代工本业

台积电否认正应最大客户英伟达的要求，生产新一代记忆体晶片 3D DRAM。Tom's Hardware 周六报道，台积电发言人回应称，公司「始终专注于核心业务，即专业晶圆代工」，使命是「在未来多年成为全球逻辑晶片产业值得信赖的技术与产能供应商」。Tom's Hardware 将这一回应解读为对相关报道的否认。（图片：台积电研发中心，资料图片。图片来源：Digitimes。）

报道与否认：两种说法并存

《The Information》11 月 6 日引述两名知情人士报道，台积电已开始为 3D DRAM 的生产起草计划，起因是英伟达的需求；报道称计划由负责先进封装的台积电副总裁许国晋主导，他曾主管美光在台湾的业务。路透社亦转载了这一消息，台积电股价随消息上涨约 6%。但台积电的公开回应未提及 3D DRAM 或英伟达，也未直接说明是否存在相关计划；英伟达至今未公开回应。换言之，报道与否认目前各执一词，尚未有定论。

3D DRAM 是什么

3D DRAM 是下一代记忆体技术，与目前 AI 晶片使用的高频宽记忆体（HBM）不同：同样采用堆叠结构，但架构与生产方式有别。美光、三星与 SK 海力士均在推进各自的 3D DRAM 项目，公开路线图显示商业化约在 2030 年前后。Tom's Hardware 指出，这类先进记忆体技术距离市场化仍需数年，而台积电并无量产 DRAM 的经验，要在没有具竞争力的平面 DRAM 制程基础上开发 3D DRAM，难度极大。

记忆体短缺背景

事件的背景是 AI 硬体需求带动的记忆体短缺：DRAM 价格持续上涨，英伟达等 AI 晶片商正多方确保供应。路透社 11 月 6 日另行报道，英伟达正提供数十亿美元融资，协助封装商矽品扩充先进封装 CoWoS 产能。台积电的先进封装产能同样供不应求，市场预测先进封装收入将在 2026 年首度超越传统封装。

（来源：Tom's Hardware；《The Information》；路透社，2026 年 11 月 6 至 7 日。）