美光宣布弃用 4F² DRAM 架构　改攻 6F² 与 3D 记忆体

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美光总裁兼技术长 Scott DeBoer 在 10 月 21 日（周三）的十年技术蓝图说明会上表示，公司已研究 4F² 架构超过 20 年（该架构正是由美光发明），但在前沿制程上面临「根本性的微缩难题」，所谓密度优势是「有点神话」——老制程可以做，做出来成本更高、复杂度更大，却换不到实质好处。

美光将把重心放在成熟的 6F² 架构上，并跨越到先进晶圆键合与三维堆叠。1δ（1-delta）DRAM 将接替现行 1γ 节点，预计 2027 年下半年在 Boise 厂开始放量，位元密度提升约 20% 中段，并为 HBM5 与垂直式 HBM（vHBM）设计。1ε 节点将全面导入晶圆键合技术；3D DRAM 的研发则排在 1ζ 到 1η 节点之间，高数值孔径 EUV 光刻也在探索之列。

NAND 方面，美光将跳过一代、从 Gen 9 直接跳到 G11：超过 400 层、位元密度是 Gen 9 的两倍、输入输出速度 1.5 倍，同样排定 2027 年下半年放量。HBM4 已进入大量生产，每堆叠频宽 2.8 TB/s；下一步是直接堆叠在处理器上的垂直 HBM，以及用于机器人与汽车的低功耗垂直推理记忆体。

对手并未跟进：中国长鑫存储（CXMT）近日宣布要把 4F² 伺服器 DRAM 商用化，一度拖累韩国记忆体股。三星、SK 海力士仍押注垂直通道电晶体（VCT）实现 4F²。这场路线之争的裁判将是量产良率与成本——美光赌的是 3D。