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美国商务部拟拨 7,300 万美元给 Vertical Semiconductor：GaN 垂直电晶体攻 AI 数据中心供电
Vertical Semiconductor 与美国商务部 CHIPS 研发办公室签署意向书，拟获最高 7,300 万美元 CHIPS 法案资金，加速研发垂直氮化镓功率电晶体，缓解 AI 数据中心电力瓶颈。
为何重要
Vertical Semiconductor 于 10 月 22 日宣布，已与美国商务部 CHIPS 研发办公室（CRDO）签署意向书（letter of intent），拟依据《CHIPS 与科学法案》获得最高 7,300 万美元的联邦激励资金，用于研发与商业化新一代垂直氮化镓（GaN）功率电晶体。资金目标是提升 AI 数据中心与高效能运算的电力传输效率、推动美国本土生产。
技术细节
该公司由麻省理工学院分拆成立，正在开发垂直 GaN FinFET 平台，号称比传统功率转换方案具备更高功率效率与功率密度：降低功率转换时的能量损耗与废热、缩小电力基础设施占地。公司表示，这类改进可让数据中心营运商在不按比例扩充电网容量的情况下，部署更多算力。
公司说法
执行长兼共同创办人 Cynthia Liao 表示：「电力是 AI 基础设施扩建中最关键的瓶颈。」她称这笔 CHIPS 研发奖励将加速垂直 GaN 的研发与商业化，在现有电力限制下扩大美国算力容量。意向书仍属「拟议」资金，最终拨款需走完商务部审核程序。
来源
Vertical Semiconductor 官方通稿（经 Business Wire／Morningstar，2026-10-22）；Pulse2 报导（2026-10-22）。
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